III.2.1.2 破壊型解析の手法

破壊型解析法の手順として下記が文献で示されている．

1. スマートカードのパッケージ開封
   カードから取り外したチップをある種の溶剤に浸すことで チップ表面の保護膜の除去を行う．
2. ネットリスト作成
   各種顕微鏡を用いて撮影したチップ表面の写真を解析し， トランジスタレベルでのネットリストを得る．
3. マニュアルプロービング
   マニュアルプロービングワークステーションと呼ばれる装置を用いて チップ上のバスラインへのプロービングを行う．

また解析に用いる主な装置として次のようなものがある．

1. 顕微鏡

   共焦点光学顕微鏡

   電子顕微鏡のように試料を真空中に置く必要がなく， 普通の光学顕微鏡に比べて解像度とコントラストが良い．

   電子顕微鏡

   電子顕微鏡には大きく分けて透過型電子顕微鏡(TEM: Transmission Electron Microscope)と走査型電子顕微鏡(SEM: Scannig Electron Microscope)の二つがあり， TEMは試料の微細領域の組成や構造の解析を， SEMは試料表面に対する解析を行うことができる．

2. 波形解析装置

   EBテスタ

   回路内部のAC波形測定，論理波形測定

   マニュアルプローバ

   回路内部の絶対電位測定，回路内部への信号印可

3. 解析補助装置

   簡易RIE装置

   保護膜および層間絶縁膜の剥離

   FIB (Focused Ion Beam)加工装置

   イオンビームによる集積回路内部の配線の切断・接続． 表III.1にFIB加工装置とレーザーカッタの機能の比較を示す．

表 III.1: FIB加工装置とレーザーカッタとの比較表

	FIB	レーザーカッター
最小加工寸法	$0.3\mu m$	$1 \sim 2 \mu m$
スループット	遅い	早い
深さ方向の制御	容易	困難
熱的なダメージ	殆ど無し	有り
加工形状	矩形	すり鉢状